2023年10月21-23日，由中国电工技术学会电子束离子束专业委员会、中国粒子加速器学会离子源专业组联合主办，西安交通大学承办的“第十九届全国荷电粒子源粒子束学术会议”在陕西西安召开，来自北京大学、中国科学院、清华大学、复旦大学等科研院校的200余名专家学者出席会议。

全国荷电粒子源粒子束学术会议每两年举办一次，是我国荷电粒子源、粒子束技术及设备领域的大型综合性学术会议，旨在交流相关领域的科研成果，探讨相关学科及技术的未来发展趋势。本次会议设大会报告、分会报告、张贴报告、专题展示等多种形式，集中展示了我国近几年在粒子束科技前沿的基础研究成果、粒子束技术及应用的研究成果。会议聚焦粒子源技术及装置、粒子束加工技术及应用、荷电粒子光学、粒子与物质相互作用、粒子探测技术、粒子束辐照效应及应用等主题，深入探讨交流了最新技术进展与发展趋势，分享了前沿研究成果，促进了国内荷电粒子源粒子束技术与应用发展。

第十八届全国荷电粒子源粒子束会议开幕

为了培养和激励青年科技人员的创新和进取精神，推动粒子源粒子束技术在国民经济中的应用做出更大贡献，本次学术会议面向在我国从事粒子源、粒子束及其相关应用研究工作、年龄在40岁以下的青年科技工作者开设优秀青年论文奖（Best Paper Award for Young Scientist），经过资格审查和创新性审核，最终共选出10名获奖者。技物系付恩刚教授团队博士生韦祎入选获奖名单，并作会场报告。

青年优秀论文颁奖

韦祎在报告“Correlating the electronic structures of β-Ga2O3 to its irradiation induced defects at nanoscale”中详细介绍了课题组在宽禁带半导体氧化镓材料在极端环境下辐照损伤引起的原子尺度马赛克倾转演变机制，利用STEM-EELS联用技术揭示了纳米尺度下材料禁带缩窄效应的结构变化起源。研究基于北京大学NEC 2×1.7 MV串列静电加速器开展了空间半导体器件辐照损伤的模拟实验，通过产生4.5 dpa的平均原子离位损伤研究材料内部的原子结构变化，利用STEM-EELS联用技术测量与表征了不同缺陷形态处的电子结构及禁带宽度变化，结合第一性原理计算，揭示了不同晶面方向、配位结构及点缺陷浓度三个方面引起的电子结构演变规律，并从原子尺度阐明了面内无规则马赛克倾转引起的密排方向上缺陷堆积为引起辐照受损后材料禁带缩招效应的主要原因。该研究为极端环境及空间高功率半导体器件的材料辐照损伤机理及高性能材料设计开发与应用提供了新的视角与科学依据，在会议中引起了大家的广泛关注，受到一致好评。

韦祎作会场报告

该获奖工作在课题组付恩刚教授、杜进隆博士的支持与指导下完成，得到了国家自然科学基金项目，国家基础研究计划，国家磁约束核聚变能发展研究专项，北京市自然科学基金项目，北京大学大型仪器开放测试基金项目，北京大学核物理与核技术国家重点实验室、北京大学核技术应用实验室，北京大学电子显微镜实验室的资助和支持。

韦祎获得青年优秀论文奖